FDG6316PパッケージSOT-363MOS電界効果トランジスタ
| モデル番号 | FDG6316P |
| FETタイプ | 2 Pチャネル（デュアル） |
| FET機能 | ロジックレベルゲート |
| ソースにドレイン | 12V |
| 現時点の - | 700mA |
| Rds On（Max）@ Id | 270 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg） | 2.4nC @ 4.5V |
| 入力容量 | 146pF @ 6V |
| パワー-最大 | 300mW |
| パッケージ/ケース | 6- TSSOP、SC -88、SOT -363 |
| サプライヤーデバイス | SC -70-6 |
| オペレーティング | -55度〜150度（TJ） |
| 標準パッケージ | 3,000 |
| 他の名前 | FDG6316P-ND |
FDG6316PパッケージSOT-363MOS電界効果トランジスタ
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