近年、マイクロLEDは、その低消費電力、高速応答、長寿命および高い光効率のために、LCDおよびOLED後の新世代のディスプレイパネル技術とみなされている。マイクロLEDの完全な英語名は、中国語でマイクロ発光ダイオードと呼ばれるマイクロ発光ダイオードです。μLEDとして書き込むこともできます。従来のLEDを薄く、小型化し、マトリックス化し、ピクセル距離をミリメートルからマイクロメートルに短縮します。、チップ上に高集積の固体自発光ディスプレイ技術。従来のLEDとの最大の違いはサイズです。サイズは人間の髪の毛の1/10に相当し、音量は主流のLEDサイズの1%に達します。しかし、ピクセルサイズは、現在もなお統一された定義がない。
Micro LEDのミクロンレベルのピクセルピッチにより、中小規模のディスプレイから中型および大型のディスプレイまで、複数のアプリケーションシナリオをカバーできます。従来の小ピッチLEDと比較して、サイズが縮小されているため、ディスプレイの解像度と画質が大幅に向上します。光学設計により、視野角を広くし、コントラストを高め、画質を向上させることができます。バーチャルリアリティ、小型プロジェクター、マイクロモニター、可視光通信、医学研究などのさまざまなディスプレイシナリオに適しています。OLEDと比較して、ディスプレイに自発光技術を採用しているため、センサーや回路を集積して組み込みセンシング機能を実現できるほか、フレキシブル基板と組み合わせて、ウェアラブル/埋め込み型デバイスや車載ディスプレイに使用できるフレキシブルディスプレイを実現することもできます。さらに、マイクロLEDは、高精細、高輝度、良好なコントラスト、および高い応答速度を有する。応答速度(高輝度と省電力は屋外着用の機会に適しています)アプリケーションのための高い要件を持つVR、ARおよび他のウェアラブルデバイスに非常に適しています。
マイクロLEDディスプレイのコンセプトは2000年から2012年まで始まりました。ソニーが最初のクリスタルLEDマイクロLEDテレビを披露した後、マイクロLEDディスプレイはビジネス界に登場しました。さまざまな研究機関や企業が小型化とフルカラー化に焦点を当て始めました。ウェーハ転送などのボトルネック技術異なる用途のためのディスプレイパネルのサイズに応じて、ディスプレイの調製は、モノリシック製造技術と物質移動技術に分けることができる。モノリシック製造技術は、Si、GaNまたはサファイア基板上のマイクロLEDの直接生産を指します。高解像度ディスプレイの場合、LEDを端子ディスプレイ基板に接着し、最後に物理的または化学的機構によって基板を剥離する。この方法は、複雑な大規模な転送プロセスを回避しますが、近眼ディスプレイ、スマートウォッチ、その他のマイクロディスプレイなどの小型ディスプレイの構築にも制限されているため、Micro LEDのアプリケーションシナリオが制限されます。さらに、各プロセスは基板上にのみ存在することができます ランプビーズチップの1色が成長しているため、このシングルチップ製造技術はRGBフルカラーディスプレイを解決することはできません。近年提案されている量子ドットフルカラーディスプレイは、単一の紫外線マイクロLEDが発する光を利用して、上層に覆われた赤、緑、青の発光媒体を励起し、フルカラーを実現します。この着色代替技術は、将来的に充填する可能性がある。フルカラーの面でのモノリシック製造の限界。もう一つの製造技術は物質移動です。LEDチップをソース基板上に成長させ、次いでLEDをソース基板から分離し、チップを一定の力によって表示電子機器に迅速かつ正確かつ確実に転写する。携帯電話、フラットパネル、テレビなどの幅広いディスプレイアプリケーションでは、基板上での製造が完了した後に基板から分離されるため、Micro LEDチップをより大きなサイズに論理回路で転送するための大規模な転送方法が必然的に必要になります。アプリケーション要件を満たすように基板上に組み立てます。さらに、ウェアラブルおよびバイオエレクトロニクスアプリケーションのための柔軟で伸縮性のある光電子デバイスの使用は、最近、広範な研究と人気を得ています。これらのアプリケーションでは、LEDをフレキシブル基板に転写する必要があり、また、大規模な転送を達成する必要があります。しかし、その都度搬送されるウェーハのサイズが極めて小さく、ウェーハの数も膨大であるため、転写工程の精度と速度の要求は非常に高く、マイクロLEDの大量生産を制限する重要な技術となっています。
