（3）LEDスクリーンディスプレイ技術の開発履歴
LEDの開発履歴を振り返ると、従来のLEDの開発には段階的な特徴があります。つまり、市場のほとんどのブランドは、屋外LEDディスプレイと大型-ピッチLEDから小型-に徐々に移行しています。ピッチ製品。
その後、P2.5ピッチ以下の小型・微細ピッチ市場に参入し、屋内ディスプレイ分野で徐々に幅広い用途を獲得しています。 ランプビーズピッチは縮小し続け、表示効果は向上し続けます。
小さな-ピッチのLED技術は、2016年以来急速に発展しており、この段階でLEDディスプレイの成長の主力となっています。 現在、LEDの小さな-ピッチディスプレイ技術、プロセス、および産業チェーンのサポート施設は比較的成熟しています。
コスト価格は下がり続けており、屋内展示用の広大なスペースが無事にオープンしました。 ただし、小さな-ピッチLEDにはまだ物理的な技術的限界があります。 そのため、より小さな-ピッチのMini/MicroLEDが一般の人々の目に留まり始めています。
（4）液晶ディスプレイバックライトの開発履歴
従来のLEDダイレクト-点灯バックライト：これは、液晶ディスプレイ用の現在の主流のバックライトソリューションです。 このソリューションのコストは低く、動的なパーティショニングを実現できます。 それはより厚く、エネルギー消費量が多いです。 従来のLEDエッジ-点灯バックライト：薄くすることができ、動的な分割はありません。
量子ドットバックライト：広い色域を実現できますが、製造コストが比較的高く、毒性がわずかに高く、コストも比較的高くなります。 大量生産能力を持っているメーカーはごくわずかです。
Mini LED backlight: Using direct backlighting, the traditional LED die size is reduced to between 100 200 μm, which greatly increases the number of backlight sources. With local dimming control, it can achieve regional brightness adjustment and bring a better visual experience.
このソリューションは、他のバックライト方式の欠点を克服できる、省エネ、軽くて薄い、広い色域、超-高コントラスト、細かい動的パーティションなどの特性を備えていますが、現在の製造コストは比較的高いですhighであり、主にハイ-エンドディスプレイに使用されます。
（5）マイクロLED技術にはブレークスルーが必要
現在、マイクロLEDを制限する3つの主要な技術的ボトルネックがあります。1つは物質移動、つまりマイクロLEDチップをTFT回路基板にバッチで転送する方法です。
そして、高密度-密度の2-次元アレイ構造を形成するためのミクロン-レベルのサイクルアセンブリによると、2番目は3つのピクセル光源の問題です{{3} }プライマリ-カラーマイクロLED; 3つ目はマイクロLEDのパッケージです。
3原色のマイクロLEDのピクセルアセンブリサイズの微粉化が制限されているため、超-高密度-密度のパッケージングを実現することは困難です。 LEDを小型化する方法には、ウェーハ-レベルのプロセスレベルが必要です。
たとえば、4KレベルのマイクロLEDスクリーンでは、800万個を超えるLEDを高度に統合する必要があるため、理論的には、大きな-サイズのスクリーンに適用することは非常に困難です。
現在、業界は一般的に、大規模な転送がマイクロLEDの製造プロセスが直面する最大の障害であると考えています。 歩留まりと効率を統合し、何万ものLEDチップをTFT基板に転送する方法は、マイクロLEDの生産が直面する最大の障害です。
マイクロLEDの物質移動には、主に物理的移動と化学的移動の2つの方法があります。 その中で、物理的移動方法には、主にLuxVue（2014年にAppleが買収）に代表される静電吸着移動技術が含まれます。
The chemical transfer method mainly includes micro-transfer printing technology (μTP technology) represented by X-Celeprint.
（6）ミニLED技術を突破する必要がある
ミニLEDの量産技術は依然として困難であり、工業化を加速するための緊急の努力が必要です。 ミニLEDディスプレイは、小規模な-小規模の商用出荷を達成していますが、大規模な-大量生産には、さらに解決する必要のあるボトルネックがいくつかあります。
1つ目はチップ製造です。 ミニLEDチップの大量生産には、サブ-ミクロンの精度が必要であり、現在の実験室プロセスの精度はわずか10ミクロンです。
2つ目は、大量転送の問題です。 大量生産では、転送のドット抜け率が100万分の1未満である必要がありますが、現在は100分の1にしか達しておらず、修復コストは比較的高くなっています。
三つ目は電極接続の問題です。 電極接続フリップ-チップ技術のコストは高すぎます。 現在、中国では正式な取り付けプロセスしか使用できないため、製品の信頼性が低下しています。
4つ目は駆動の問題であり、洗練されたPCBバックプレーン製造とTFTバックプレーン駆動技術の開発が急務です。 5つ目はスプライシングの問題であり、既存のスプライシングプロセスでは、長距離の視覚的なシームレス性しか実現できず、スムーズでシームレスなスプライシングはより困難です。
